Postup na výrobu levné fotovoltaických článků arsenid galia (GaAs), v nichž se pěstuje na tlusté, single-crystal GaAs (nebo jiného vhodného materiálu) tenký film GaAs substrátu a pak je štěpeny ze substrátu a začleněny do buňky, umožňující substrátu k opětovnému růstu více tenkých GaAs.