Fotogalvaanilise päikeseenergia seadme, n-tüüpi dopant, näiteks fosfor, mis asetab täiendavaid elektron energia tase väga lähedal juhtivus bänd; See elektron on lihtsalt lahkus arvesse juhtivus bänd kui see suurendab elektrijuhtivus üle kui ka undoped pooljuht.