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clivage des films épitaxiales latérales pour transfert (
Un procédé de fabrication peu coûteuses les cellules photovoltaïques de l'arséniure de Gallium (GaAs) dans lequel une mince couche de GaAs est cultivée au sommet d'un épais, monocristal GaAs (ou autre matériau approprié) substrat puis clivée du substrat et est incorporé dans une cellule, ce qui permet au substrat être réutilisée à croître plus minces GaAs.
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创建者
- Claire Russo
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(Paris, France)